利用 ICP-MS/MS 分析电子级硅中的超痕量杂质
串联四极杆 ICP-MS (ICP-MS/MS) 是行业标准分析工具，用于测量痕量和超痕量水平的溶解态和颗粒污染物。本研究展示了如何使用 ICP-MS/MS 技术测量高基质硅消解物样品中的痕量级污染物，使用热等离子体条件实现理想基质耐受性。对于硅块分析和使用气相分解的表面金属提取，这种方法是必需的。
晶圆和半导体材料杂质分析
分析晶圆和其他半导体材料中的金属杂质
监测并控制微量金属杂质始于高纯度晶圆衬底。衬底通常为硅，但也使用其他材料，如碳化硅、氮化硅和砷化镓。硅块中的痕量金属污染物可以在使用氢氟酸溶解硅后，通过 ICP-MS、ICP-OES、AAS、MP-AES 等原子光谱技术进行测定。高纯度电子级硅必须在 9N 至 11N 之间 — 纯度 99.9999999% 至 99.999999999%。ICP-MS 因其高灵敏度和无干扰检测能力常被广泛用于超痕量杂质测定。采用气相分解 (VPD)/ICP-MS 等表面分析技术检测切割晶圆中的痕量金属杂质，该技术将金属从 Si 衬底提取到液滴中，然后通过 ICP-MS 进行分析。采用 Al、Cu、Ti、Co、Ni、Ta、W 和 Hf 等纯金属作为物理气相沉积 (PVD) 的溅射靶，在晶圆表面形成金属薄膜。高 k 值电介质材料包括 Zr、Hf、Sr、Ta 和稀土元素 (REEs) 的氯化物及氧化物。每种材料都有可接受的污染物含量限值。
Contact Us
自动监测化学品和晶圆中的污染物
了解如何通过使用安捷伦 ICP-MS 和 ICP-MS/MS 系统的集成采样附件，对高纯度化学品中的污染物实现自动在线监测。一次 ICP-MS 分析可同时测量溶解态污染物和纳米颗粒。硅晶圆中的污染则可用自动气相分解 (VPD) 系统来测量，该系统与安捷伦 ICP-MS 或 ICP-MS/MS 仪器集成。VPD-ICP-MS 提供快速样品前处理和分析，以此定量硅晶圆和 HF 可溶性薄膜中的痕量污染。
测量半导体制造过程中的无机杂质
下载此应用文集，获取测量半导体制造中溶解态和颗粒物无机杂质的 20 余种方法。这些方法包括仪器配置和调谐参数、样品和标样制备详细信息以及代表性结果。该文集是帮助您建立或改进无机污染检测计划的实用指南。
-materials-318x179.jpg)
其他资源
应用简报
- 通过 GC-ICP-MS/MS 测定电子级砷化氢中的痕量杂质
- 使用 ICP-OES 测定硫酸铜中的杂质元素
- 利用 ICP-MS 对三氯硅烷进行痕量元素分析
- 使用 ICP-MS/MS 对高纯度 Nd2O3 中的痕量稀土元素进行常规测定
- 使用 ICP-MS/MS 提高 ICP-MS 方法对高纯硅样品中磷和钛的检测性能
产品样本
应用文集
视频
宣传单页
海报
网络研讨会
白皮书
服务
Contact Us
我们随时准备为您的材料检测和研究应用提供帮助。
您可以访问我们的联系页面，联系安捷伦客户服务中心。您也可以立即注册，获取与材料检测和研究应用相关的安捷伦最新信息，包括教育活动、网络研讨会、产品等。
Contact Us
DE44505.6045949074