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半导体制程化学品中的杂质分析

对半导体制程化学品中的杂质进行检测,可以发现导致缺陷的痕量金属污染物,这些缺陷会导致器件产量降低、性能下降和产品故障。化学品供应商和晶圆 FABs 使用安捷伦 ICP-MS 来检测整个行业使用的半导体制程化学品中的杂质。半导体制造商和供应商可以使用串联四极杆 ICP-MS 监测制程化学品和气体中低含量水平的杂质,为先进的制造工艺提供支持,以提高产量和器件可靠性。

监测颗粒污染也迅速成为半导体行业的当务之急。集成电路加工设备可能释放的铁、铬和镍等金属颗粒污染物尤其令人担忧。安捷伦单颗粒 ICP-MS (sp-ICP-MS) 可以检测制程化学品和清洗液中多元素纳米颗粒的数量、粒径、粒径分布和元素组成。只需一次快速分析,即可测量溶解的污染物和颗粒污染物。

如果您对半导体制程化学品中杂质的分析有任何疑问或希望与安捷伦客户服务中心联系,请通过以下方式联系我们。

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使用 ICP-MS/MS 对 N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP) 进行颗粒和元素分析

本研究介绍了使用 Agilent 8900 串联四极杆 ICP-MS 对两种高纯度 N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP) 进行的分析。8900 可实现 54 种溶解元素的定量测定(包括 SEMI C33-0213 标准中定义的所有元素),以及纳米颗粒中 14 种元素的表征。8900 ICP-MS/MS 在两种等级的 NMP 中均检测到大多数亚 ppt 级的元素,其中新的超纯级(SP 级)样品的污染水平明显低于电子级(EL 级)样品。


异丙醇中超痕量元素杂质的自动分析

本研究展示了如何自动执行样品前处理、处理和仪器校准,以简化异丙醇中超痕量元素杂质的分析。使用自动化样品引入系统减少了手动样品处理和误差,并降低了样品污染的可能性。本研究使用通过在线加标的标准加入法或生成外部校准曲线的校准方法。


测量超纯水中的 ppt 级无机污染物

测量了晶圆制造用超纯水中 ppt 或亚 ppt 级的无机污染物。结果展示了如何使用串联四极杆 ICP-MS 来确保制程化学品和试剂符合规范,例如 ASTM D5127-13,2018 和 SEMI F63-0521,2021。该方法使用热等离子体条件和可选安装在仪器上的 m 透镜。所有 26 种 SEMI 关键元素均在 ppt 水平下完成测量。这种方法同时适用于高基质样品和低基质样品。


测量半导体制造中的无机杂质

下载此应用文集,获取测量半导体制造中溶解态和颗粒物无机杂质的 20 余种方法。这些方法包括仪器配置和调谐参数、样品和标样制备详细信息以及代表性结果。该文集是帮助您建立或改进无机污染检测计划的实用指南。



半导体制程化学品杂质分析

半导体光刻胶中的超痕量杂质

在 PGMEA 溶剂中简单稀释后,使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 监测 IC 光刻胶中的 20 种关键痕量元素污染物。

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测定磷、硫、硅和氯

使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 分析 ICP-MS 难以分析的磷、硫、硅和氯。

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过氧化氢和去离子水的自动分析

使用 ICP-MS/MS 定量去离子水和过氧化氢中超痕量元素杂质的自动化程序的研究。

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盐酸中痕量金属杂质的分析

使用 MS/MS 模式以几个 ppt 的检测限分析盐酸中的 50 种元素,包括 K、V、Cr、Ge 和 As 等难分析的元素。

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硝酸中金属杂质的直接分析

用于检测未稀释硝酸的 ICP-MS/MS 方法,该方法可实现简化的样品前处理和直接分析。

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20% 氢氧化铵中杂质的直接分析

使用 ICP-MS 直接测量未经稀释的高纯度氢氧化铵中低 ppt 级金属杂质。

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分析甲醇中的硅、磷和硫

使用 ICP-MS/MS 对有机基质中的硅、磷和硫进行高灵敏度和低干扰分析的方法。

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NMP 中的硫、磷、硅和氯分析

本简报介绍了使用 ICP-MS 对有机溶剂 N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP) 中的硫、磷、硅和氯进行的痕量分析。

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超纯硫酸中的痕量元素分析

用于分析硫酸中 42 种分析物的方法,包括 Ti 和其他元素,这些元素难以在高硫基质中以痕量水平测定。

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